Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. Электрические, оптические и спектральные характеристики ZnSe/ZnTe/GaAs гетероструктуры и МПМ-фотодетектора на ее основе. In: VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике, 24-26 января 2018, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» , Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» , С. 396-397.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Исследованы структурные, оптические и электрические свойства ZeSe/ZnTe/GaAs гетероструктуры и MПM-диода на её основе. Для МПМ-диода с шириной встречно-штыревых контактов 2.8 мкм, зазором между ними 2.8 мкм и общей площадью фоточувствительной области детектора 100х100 мкм2 плотность темнового тока при комнатной температуре составляет 10-8А/см2. Фотоотклик MПM-детектора демонстрирует три пика реакции, расположенные на длинах волн 510, 620 нм и 870 нм.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Дополнительная информация: | ISNB 978-5-7262-2445-9 |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5783 |
 |
Изменить объект |
