Averin С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. Многоцветный фотодетектор на основе гетероструктуры ZnSe/ZnTe/GaAs. Квантовая Электроника , 2018 , 48 (7). С. 675-678.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Исследованы структурные, оптические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры ZeSe/ZnTe/GaAs и ме- талл – полупроводник – металл-детектора (MПM-детектора) на ее основе. Состав и толщины отдельных слоев гете- роструктуры определены методами энергодисперсионного анализа и рамановской спектроскопии, оптические свой- ства изучены по спектрам фотолюминесценции. МПМ-детектор на основе ZeSe/ZnTe/GaAs-гетероструктуры обла- дает высокой чувствительностью. Так, на длине волны 620 нм сигнал отклика детектора соответствует ампер-ваттной чувствительности 0.19 А/Вт и внешней квантовой эффективности 38 %. Фотоотклик MПM-детектора демонстри- рует три пика, расположенных на длинах волн 510, 620 и 870 нм. Для МПМ-диода с шириной встречно-штыревых кон- тактов 2.8 мкм, расстояниями между ними 2.8 мкм и общей площадью фоточувствительной области 100 ´ 100 мкм плотность темнового тока при комнатной температуре составляет 10–8 А/см2.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5771 |
 |
Изменить объект |
