Минакова В.Е. Синтез квазиодномерных проводников с волной зарядовой плотности и изучение в них коллективного и одночастичного механизмов переноса заряда с помощью фотопроводимости. Отчет по проекту. Российский Фонд Фундаментальных Исследований, Москва, Россия, 2014.
|
Текст
Otchet2qq.pdf - Опубликованная версия Загрузить (283kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Проведены экспериментальные исследования явлений переноса заряда в следующих квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности (ВЗП): моноклинном TaS3 и ромбическом TaS3 с примесями In и без них). Основное внимание уделено исследованию омической проводимости (режим, когда ВЗП запиннингована и не дает вклад в проводимость) в области низких температур (где появляется отклонение ее температурной зависимости от первоначального термоактивационногозакона, связанного с наличием пайерлсовской щели в спектре возбуждений), а также фотопроводимости, появляющейся в этой же температурной области. Обнаружена и изучена фотопроводимость m-TaS3 при температурах T < 70 K. Обнаружена корреляция температурных и полевых зависимостей фотопроводимости и темновой проводимости при T < 70 K, а также их сильная зависимость от качества образца. Основные особенности фотопроводимости моноклинных и ромбических образцов схожи. Обнаружены следующие новые особенности фотопроводимости m-TaS3: 1) зависимость энергии активации фотопроводимости от температуры, 2) существование тонкой структуры зависимости фотопроводимости от электрического поля, 3)~периодическая ступенчатая структура на спектральных зависимостях фотопроводимости на краю пайерлсовской щели. С помощью спектральных исследований определена величина оптической пайерлсовской щели в m-TaS3, равная 0.18 эВ. В образцах o-TaS3 с интеркалированным с помощью температурной диффузии In обнаружен сильный рост амплитуды фотопроводимости в спектральной области 0.15 - 0.25 эВ, линейно зависящий от времени диффузии In и скорреллированый со сдвигом температуры пайерлсовского перехода и увеличением порогового поля нелинейной проводимости. Сделан вывод, что величина пайерлсовской щели в чистом o-TaS3 при T<50 K составляет 0.25 эВ, а фотопроводимость при меньших энергиях связана с объемными примесными состояниями. Впервые начаты исследования влияния поляризации света (в направлениях вдоль и поперек оси наибольшей проводимости кристалла) на спектры фотопроводимости. В o-TaS3 обнаружено превосходство амплитуды поперечного фотоотклика над продольным в высокочастотной области спектра, при энергиях фотонов > 0.25 эВ, и, наоборот, продольного фотоотклика над поперечным в низкочастотной области при энергиях фотонов < 0.25$~эВ. Сделан вывод, что энергию 0.25 эВ, где амплитуды обоих фотооткликов сравниваются, можно считать краем пайерлсовской щели в o-TaS$_3$.
| Тип объекта: | Отчет (Отчет по проекту) |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Минакова В.Е. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 194 лаб. низкоразмерных атомных структур |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5297 |
 |
Изменить объект |
