Гуляев Ю.В., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. Об устойчивости сверхтонких изолирующих слоёв окисла кремния к полевому повреждению. ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ , 2018 (3(250)). С. 6-12. ISSN 2073-8250
|
Текст
Гуляев-об устойчивости.pdf Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Проанализированы полученные ранее результаты экспериментальных исследований устойчивости n–Si–металл–окисел–полупроводник (МОП) структур с толщиной окисла менее 40 Ǻ к воздействию сильных, но допробойных электрических полей. Показано, что объекты со сверхмалой толщиной SiО2 гораздо более «податливы» к полевому стрессу – они легче повреждаются внешними воздействиями, но и гораздо быстрее восстанавливаются к исходному состоянию при комнатной температуре. В процессе выдержки структур в сильном электрическом поле на контакте кремний-окисел образуются дополнительные локализованные электронные пограничные состояния с концентрацией, превышающей 1013 см-2. Перезарядка вновь образованных центров с ростом полевого напряжения заведомо обеспечивает накопление у границы раздела кремний-окисел избыточного заряда, резко увеличивающего поля в изолирующем слое. Это явление должно оказывать решающее влияние на изменение туннельной вольт-амперной характеристики Si-МОП структур после стресса.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/5107 |
 |
Изменить объект |
