Бистабильность автомодуляции спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs

Агеева Н.Н, Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Бистабильность автомодуляции спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs. In: XII Российская конференция по физике полупроводников, 21-25 сентября 2015, Ершово , РИИС Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН , р. 1.

Текст Krivonosov.doc Загрузить (70kB)

Аннотация

Впервые исследовалась эволюция спектра стимулированного пикосекундного излучения, возникающего при пикосекундной оптической накачке тонкого (~1 мкм) слоя GaAs. Излучение измерялось ещё до достижения им торцов образца. Обнаружена бистабильная автомодуляция спектра излучения. На фронте им-пульса излучения в его спектре выделился и доминировал один набор эквидистантных мод. На спаде излучения его заменил другой набор мод. Внутри каждого набора интервал между модами 10 мэВ совпадал с расчетным интервалом между собственными модами являющегося активным резонатором слоя GaAs. В определенные моменты времени форма модуляции спектра излучения была подобной форме автомодуляции спектра поглощения зондирующего пикосекундного импульса, обнаруженной ранее. Это подобие явилось ещё одним подтверждением взаимосвязи вышеназванных автомодуляций излучения и поглощения. Обнаружено, что время разгорания излучения является осциллирующей функцией энергии его фотона. При этом эволюция спектральных компонент излучения (СКИ) оказалась так самосогласована, что интегральный по времени спектр и интегральная по спектру огибающая импульса излучения имели гладкую (без локальных особенностей) форму. Автомодуляция свидетельствует, что разность коэффициентов усиления и потерь излучения является нелинейной функцией интенсивности излучения. Предполагается, что взаимодействие между СКИ, приводящее к автомодуляции спектра излучения, может быть разновидностью вынужденного комбинационного рассеяния. Тогда, по крайней мере, часть вынужденных рекомбинационных излучательных переходов должна являться комбинационными переходами. Указаны условия, способствующие возникновению комбинационных переходов. Схема комбинационного перехода предложена.

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Постер)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/504

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект