Стимуляция когерентности волны зарядовой плотности в квазиодномерных полупроводниках СВЧ излучением

Зыбцев С.Г., Покровский В.Я. Стимуляция когерентности волны зарядовой плотности в квазиодномерных полупроводниках СВЧ излучением. In: XI Российская конференция по физике полупроводников, 16–20 сентября 2013, Санкт-Петербург , Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН , р. 279.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Доклад на конференции или семинаре (Постер)
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	183 лаб. фотоэлектронных явлений 184 лаб. методов получения тонких пленок и пленочных структур
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/475

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект