Агеева Н.Н., Броневой И.Л., Забегаев Д.Н., Кривоносов А.Н. Переключение спектральных мод пикосекундного стимулированного излучения GaAs вследствие их вынужденного комбинационного рассеяния при межзонных осцилляциях электронов в поле излучения. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2018 , 63 (10). С. 1130-1140. ISSN 0033-8494
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Обнаружено, что автомодуляцию спектра стимулированного интенсивного пикосекундного излучения тонкого (~ 1 мкм) слоя GaAs можно представить, как переключение спектральных мод излучения, вызванное их вынужденным комбинационным рассеянием (ВКР). Показано, что ВКР возникает из-за модуляции заселенности энергетических уровней при межзонных осцилляциях электронов в поле излучения. Установлено, что осцилляции становятся возможными из-за обусловленного энергетическим транспортом носителей заряда замедления времени залечивания отклонений от фермиевского распределения. Выяснено, что синхронизация указанных осцилляций осуществляется посредством ВКР.
Тип объекта: | Статья |
---|---|
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 201 лаб. математических методов радиофизики 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4652 |
Изменить объект |