Папроцкий С.К., Алтухов И.В., Каган М.С., Дижур С.Е., Хвальковский Н.А., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Буравлёв А.Д., Васильев А.П., Устинов В.М., Баранов А.Н., Тесье Р. Туннельная проводимость короткопериодных сверхрешеток с ТГц резонатором. ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (электронный журнал) , 2016 (12). ISSN 1684-1719
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Исследован вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb и GaAs/AlAs при комнатной температуре. Обнаружено влияние ТГц резонатора на вольтамперные характеристики в режиме как резонансного, так и нерезонансного туннелирования. Предложены возможные объяснения.
Тип объекта: | Статья |
---|---|
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 171 лаб. полупроводниковых приборов 172 лаб. электронных процессов в полупроводниковых материалах |
URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4650 |
Изменить объект |