The Relationship between the Defectness of Emitting Nanoheterostructures of Green InGaN/GaN LEDs and Their Threshold Current Values

Sergeev V. A.,, Frolov I.V., Radaev O. A. The Relationship between the Defectness of Emitting Nanoheterostructures of Green InGaN/GaN LEDs and Their Threshold Current Values. Technical Physics Letters , 2017 , 43 (2). С. 224-226.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

The Relationship between the Defectness of Emitting Nanoheterostructures of Green InGaN/GaN LEDs and Their Threshold Current Values

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/4486
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект