Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока

Сергеев В.А., Фролов И.В., РАДАЕВ О.А. Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока. ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ , 2017 , 43 (4). С. 89-93. ISSN 0033-8494

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Сергеев В.А., Фролов И.В., Радаев О.А.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/4402

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект