Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Алкеев Н.В. МПМ-фотодетектор ультрафиолетового излучения с электрически перестраиваемой спектральной чувствительностью. Радиотехника и электроника , 2013 , 58 (3). С. 309-312.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Изготовлены и исследованы фотодетекторы ультрафиолетового излучения на основе встречно-штыревых Шоттки барьерных контактов к гетероструктуре ZnCdS/GaP, которые характеризуются низкими величинами темновых токов. Установлено, что характеристики спектрального отклика детекторов зависят от напряжения смещения и что длинноволновая граница отклика ZnCdS/GaP МПМ-диода может сдвигаться с 355 до 440 нм при изменении напряжения смещения c 40 до 80 В. Найдено, что на длине волны максимальной фоточувствительности (355 нм) ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.1 А/Вт.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах 215 лаб. проблем субмикронной технологии |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/437 |
 |
Изменить объект |
