Яременко Н.Г., Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Карачевцева М.В., Страхов В.А. Определение концентрации двумерных электронов в δ легированных псевдоморфных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2013 , 58 (3). С. 1-8. ISSN 0033-8494
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
Определены концентрации двумерных электронов ns в модулированно-легированных PHEMT-структурах двумя фотолюминесцентными (ФЛ) методами: по полуширине полосы 1e-1hh и по энергетической дистанции EF-E1e на экспериментальных спектрах ФЛ. Рассмотрены условия применимости этих методов, предложен способ определения энергии EF по температурной зависимости отношения интенсивностей полос 2e-1hh и 1e-1hh. Полученные значения ns хорошо согласуются с результатами холловских измерений при не слишком высоких концентрациях (ns ≤ 2,5∙1012), пока отсутствует параллельная проводимость по δ слою. При более сильном легировании эти ФЛ - методы дают более точные значения ns.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/422 |
 |
Изменить объект |
