Luzanov V.A., Kotelyanskii I.M., Shustin E.G. Single-domain nickel films for production of graphene. Journal of Communications Technology and Electronics , 2017 , 62 (7). С. 820-821.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
A technique for depositing single-domain heteroepitaxial nickel films onto sapphire substrates is presented. It is demonstrated that high-temperature annealing of these substrates in oxygen alters their near-surface layer in a way that enables the growth of single-domain heteroepitaxial (111) Ni films on a (0001) Al2O3 substrate. Single-domain heteroepitaxial (111) Ni films on a (0001) Al2O3 substrate, which can be taken as the basis for a technique for fabrication of large-area single-crystalline graphene films, were synthesized for the first time.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | В.А.Лузанов, И.М.Котелянский, Е.Г.Шустин |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/4147 |
 |
Изменить объект |
