Electronic correlation effects and Coulomb gap in the Si(111)- (3×3) -Sn surface

Odobescu A. B., Maizlakh A. A., Fedotov N. I., Zaitsev-Zotov S. V. Electronic correlation effects and Coulomb gap in the Si(111)- (3×3) -Sn surface. Physical Review B , 2017 , 95 (19). ISSN 2469-9950

[img]
Предварительный просмотр
Текст
Odobescu_PhysRevB.95.195151.pdf

Загрузить (784kB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: http://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.195151
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Одобеску, Майзлах, Федотов, Зайцев-Зотов
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 194 лаб. низкоразмерных атомных структур
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/3616
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект