Хлопов Б.В., Чучева Г.В., Митягина А.Б. Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти. Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. , 2017 , 17 (1). С. 33-43. ISSN 1817-3020
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
Хлопов-Фазовые изменения.pdf Загрузить (490kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Представлен обзор исследований технологических основ мультиферроидных материалов с целью возможного их использования в устройствах экстренного уничтожения информации. Анализ характеристик материалов позволил уточнить их фазовые изменения от внешних воздействий и исследовать магнитные свойства. При рассмотрении магнитных свойств тонких пленок исследовались такие характеристики материалов, как коэрцитивная сила и намагниченность насыщения, а также их зависимость от технологических условий напыления (давление кислорода, скорость осаждения, температура), толщины пленки, процентного состава составляющих ее элементов, термообработки (отжиг) и микроструктуры пленки. Анализ свойств мультиферроидных материалов по уточнению электротехнических характеристик и физических свойств проведен на основе железосодержащих, кобальтсодержащих, барийсодержащих и редкоземельных переходных металлических сплавов, который позволил уточнить возможность и условия фазовых переходов материалов их магнитную восприимчивость к внешним магнитным и электромагнитным полям и разработать технологическое обо- рудование для исследования магнитных свойств образцов при воздействии внешних электромагнитных полей. Покозано, что фазовые переходы в мультиферроидных материалах, применяемых в тонкопленочных образцах, характеризуются двумя видами аллотропии, проявляющимися в наличии e -фазы гексагональной с плотной упаковкой структуры и a -фазы гранецентрированной кубической структуры. Их соотношение и переход между ними зависят от чистоты, условий термообработки и скорости охлаждения. В материалах статьи рассмотрены свойства железосодержащих, кобальтсодержащих, барийсодержащих, аморфных тонкопленочных слоев систем записи и магнитные свойства кобальтохромовых тонкопленочных слоев. Анализ результатов позволяет сделать вывод о возможности создания оборудования с магнитной управляемой системой, обеспечивающей создание магнитных полей, напряженность которых превосходит значения коэрцитивной силы мультиферридных материалов, применяемых в существующих носителях информации. Экспериментальное подтверждение фазовых переходов в представленных материалах является предпосылкой для разработки устройств экстренного уничтожения информации с электронных носителей.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/3445 |
Доступные версии этого объекта
- Фазовые изменения мультиферроидных магнитных материалов, применяемых в системах внешней памяти. (deposited 14 Апр 2017 15:10) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
