Талипов Н.Х. О возможности формирования дельта-легированных бором наноструктур на основе СVD алмаза низкоэнергетической ионной имплантацией бора. In: XXI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017 г., г. Нижний Новгород, Россия , Нижегородский университет , С. 732-733.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Рассматривается новый метод формирования на поверхности CVD алмаза дельта-легированного слоя низкоэнергетической ионной имплантацией бора через маску из Al и азота - без маски, в результате которой в алмазе формируется дельта-слой р-типа толщиной 10 нм за счет компенсации бора азотом на "хвосте" профиля распределения атомов бора. Приводятся рассчитанные методом SRIM профили распределения в алмазе имплантированных (Е = 10 - 25 кэВ) через маску из Al атомов бора и без маски - атомов азота, а также технология формирования холловских структур с двумерным дырочным газом.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/3285 |
 |
Изменить объект |
