Алтухов А.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Полевой СВЧ-транзистор на основе алмаза с δ-легированным бором каналом. In: 26-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2016), 4-10 сентября 2016г., г. Севастополь, Россия , С. 1385-1389.
|
Текст
Талипов. Полевой СВЧ-транзистр.pdf Загрузить (781kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Рассматривается новый метод формирования на поверхности ал- маза δ -легированного р-канала полевого СВЧ-транзистора низкоэнергетической ионной имплантацией бора через маску из Al и азота – без маски, в результате которой в алмазе формируется δ -слой р-типа толщиной ~10 нм за счет компенсации бора азотом на “хвосте” профиля распределения атомов бора. Приводятся рассчитанные методом SRIM профили распределения в алмазе имплантированных (Е = 10 − 25 кэВ) через маску из Al атомов бора и без маски − атомов азота, а также технологический маршрут формирования СВЧ-транзистора.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/3001 |
 |
Изменить объект |
