Расчет и анализ распределения тока и температуры в структуре мощного ВЧ биполярного транзистора с учетом механизмов тепловой обратной связи

Сергеев В.А., Ходаков А.М. Расчет и анализ распределения тока и температуры в структуре мощного ВЧ биполярного транзистора с учетом механизмов тепловой обратной связи. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы , 2012 (2). С. 48-53.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Расчет и анализ распределения тока и температуры в структуре мощного ВЧ биполярного транзистора с учетом механизмов тепловой обратной связи

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: В.А. Сергеев, А.М. Ходаков
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/2717
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект