Связь снижения квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик

Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А. Связь снижения квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик. Нелинейный мир , 2013 (2). С. 90-91.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Связь снижения квантовой эффективности InGaN/GaN светодиодов при испытаниях с особенностями вольт-фарадных характеристик

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: В. А. Сергеев, И. В. Фролов, А. А. Широков
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/2712
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект