InP- and GaAs-based plasmonic high-electron-mobility transistors for room-temperature ultrahigh-sensitive terahertz sensing and imaging

Watanabe T., Boubanga-Tombet S.A., Tanimoto Y., Fateev D., Popov V., Coquillat D., Knap W., Meziani Y.M., Wang Y., Minamide H., Ito H., Otsuji T. InP- and GaAs-based plasmonic high-electron-mobility transistors for room-temperature ultrahigh-sensitive terahertz sensing and imaging. IEEE Sensors Journal , 2013 , 13 (1). С. 89-99.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Фатеев Д.В., Попов В.В.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	СФ-8 лаб. фотоники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/1991

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект