Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs

Яременко Н.Г., Страхов В.А., Карачевцева М.В., Федоров Ю.В. Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. Изв. вузов. Электроника , 2016 , 21 (4). С. 1-8. ISSN 1561-5405

Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)

Аннотация

Изучено влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий вид. Проведена оценка времен захвата дырок в максимуме и минимуме осцилляций: ≈ 3 пс и ≈ 370 пс. Сдвиг энергии перехода в резонансной яме при сильном возбуждении объяснен влиянием встроенного заряда, возникающего за счет разных темпов захвата электронов и дырок.

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/1426

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект