Айтхожин С.А., Артёмов А.С., Белоусов П.С., Бобылёв М.А., Каевицер Е.В., Любченко В.Е.,, Петров К.П., Темиров Ю.Ш., Фарафонов С.Б. Эпитаксиальный рост арсенида галлия на подложках из NiSb . Ж. Нелинейный мир 2015, т. 13, №2, с.14-15. Нелинейный мир , 2015 , 13 (2). С. 14-15.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Получены пленки арсенида галлия на подложках из антимонида никеля методом МПЭ. Приведены результаты электронно-микроскопических и электронографических исследований.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | С.А.Айтхожин А.С.Артемов, П.С.Белоусов, М.А.Бобылев, Е.В.Каевицер, В.Е.Любченко, К.П.Петров, Ю.Ш.Темиров, С.Б.Фарафонов. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона 215 лаб. проблем субмикронной технологии 217 лаб. полупроводниковых кристаллов и пленок |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1255 |
 |
Изменить объект |
