Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М., Ермаков М.Г., Кудряшов А.А., Петоов А.Г., Телегин А.А. Фотовольтаические рентгеновские детекторы на основе эпитаксиальных структур GaAs. ПТЭ, 2013,№1, стр. 97-102. Приборы и техника эксперимента , 2013 (1). С. 97-102.
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Представлены результаты исследований свойств нового фотовольтаического рентгеновского детектора, изготовленного на основе эпитаксиальной стуктуры GaAs, выращенной методом газофазной эпитаксии. Измерена чувствительность детектора к рентгеновскому излучению в диапазоне эффективных энергий 7-120 кэВ. Разработаны многоканальные линейные рентгеновские детекторы и с их помощью получены цифровые изображения высокого качества.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М., Ермаков М.Г., А.А.Кудряшов, Петров А.Г.,Телегин А.А. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 217 лаб. полупроводниковых кристаллов и пленок 197 лаб. функциональной электроники 218 лаб. химических методов технологии и анализа |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/1139 |
 |
Изменить объект |
