Бутылкин В.С, Крафтмахер Г.А, Фишер П.С П.С Экситонный вклад в диэлектрическую проницаемость фотооблучаемых полупроводников: от микроволн до оптики. In: XVI РКФП). - СПб., 7-11 октября 2024г., СПб. , Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП). - СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. - 2024. - С. 26. ISBN 978-5-93634-074-1 , р. 26.
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)
Официальный URL: https://semicond2024.ioffe.ru/ru/celi-i-tematika/ ...
Аннотация
Проводится сравнительный анализ результатов экспериментальных и теоретических исследований поведения диэлектрической проницаемости фотооблучаемых полупроводников как функции мощности облучения и зондирующей часто . Рассматриваются механизмы, связанные с экситонами и свободными носителями зарядов ; соответственно.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Постер) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 137 лаб. проблем дифракции |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10695 |
 |
Изменить объект |
