Ultimate parameters of SIS junctions in theory and technological possibilities to achieve them

Tarasov M.A., Lomov A. A., Chekushkin A. M., Gunbina A.A., Fominsky M. Yu., Kraevsky S. V., Kozulin R. K., Shadrin A. V. Ultimate parameters of SIS junctions in theory and technological possibilities to achieve them. Physics of the Solid State , 2023 , 65 (7). С. 1091-1097. ISSN 1063-7834

[img]
Предварительный просмотр
Текст
11_2023.pdf

Загрузить (1MB) | Предварительный просмотр
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Тарасов М.А. Ломов А.А. Чекушкин А.М. Гунбина А.А. Фоминский М.Ю. Краевский С.В. Козулин Р.К. Шадрин А.В.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 234 лаб. сверхпроводниковых устройств для приема и обработки информации
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/10511
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект