Sergeev V. A.,, Hodakov А.М. Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. RENSIT: Radioelectronics. Nanosystems. Information technologies, 2022, 14(2):103-110 , 2022 .
Это последняя версия данного объекта.
Аннотация
Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В.А. Ходаков А.М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/10111 |
Доступные версии этого объекта
-
Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. (deposited 30 Окт 2023 09:33)
- Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. (deposited 21 Ноя 2023 06:54) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
