Dynamic thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the emitter metallization tracks.

Sergeev V. A.,, Hodakov А.М. Dynamic thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the emitter metallization tracks. RENSIT: Radioelectronics. Nanosystems. Information Technologies, 2023, 15(2)109-116e. , 2023 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Dynamic thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the emitter metallization tracks.

Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Сергеев В.А., Ходаков А.М.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/9975
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект