Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок

Афанасьев М.С., Гольдман Е.И., Чучева Г.В., Набиев А.Э., Гусейнов Дж.И., Алиев Н.Ш. Электропроводность структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок. Физика твёрдого тела , 2019 . ISSN 0367-3294

Предварительный просмотр

Текст 48748.pdf Загрузить (114kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Приводятся результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3. Установлено, что в температурном интервале 290−400 K в диапазоне частот 25−106 Hz проводимость подчиняется закону σ ∝ f 0.76, характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня ферми-состояниям. Оценены плотность этих состояний, среднее расстояние и время прыжков

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9917

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект