Степушкин М.В. Особенности изготовления омических контактов к гетероструктурам GaAs/AlGaAs. In: XIV Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», 17 - 19 сентября 2019 года, Саратов , С. 333-334.
|
Текст
thesis_2019_nnnph.pdf Загрузить (3MB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Рассмотрены основные особенности формирования омических контактов к слою двумерного электронного газа в гетероструктуре GaAs/AlGaAs, расположенного на значительной глубине. Указано влияние латерального смещения слоев металлизации, недостаточной или излишней очистки поверхности и механических напряжений, вызванных различием коэффициентов теплового расширения.
| Тип объекта: | Доклад на конференции или семинаре (Доклад) |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9715 |
 |
Изменить объект |
