Степушкин М.В., Сизов В.Е. Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами. Письма в журнал технической физики , 2020 , 46 (2). р. 22. ISSN 0320-0116
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
Представлены результаты экспериментальных исследований проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом в области температур 10-300 K. При низких температурах с уменьшением расстояния между контактами к структуре от 100 до 20 μm наблюдался рост сопротивления. Для объяснения данной аномальной зависимости выполнено численное моделирование влияния пьезоэффекта в полупроводнике на проводимость канала. Показано, что необходимо учитывать кристаллографическую ориентацию канала и влияние на его потенциал удаленных пьезозарядов. Ключевые слова: двумерный электронный газ, проводимость канала, пьезоэлектрический эффект, кристаллографическое направление, AlGaAs/GaAs.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9667 |
 |
Изменить объект |
