Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии

Темирязева М.П., Планкина С.М., Антонов И.Н., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Здоровейщев А.В., Дроздов М.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии. Физика и техника полупроводников , 2020 , 54 (8). р. 801. ISSN 0015-3222

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Разработан новый метод осаждения углеродных пленок термическим разложением четыреххлористого углерода (CCl4) в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Резуль- таты исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяют предположить, что полученные этим методом углеродные слои представляют собой разупорядоченный нанокристаллический графит. Показана возможность использования такого углеродного слоя в технологическом цикле создания арсенид-галлиевых приборных структур оптоэлектроники (в частности, спиновых светоизлучающих диодов с инжектором CoPt).

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	196 лаб. спин-волновых процессов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9553

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект