Афанасьев М.С., Белорусов Д.А., Киселев Д.А., Лузанов В.А., Чучева Г.В. Влияние условий формирования пленок оксида гафния на структурные и электрофизические свойства гетероструктур. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 , 68 (10). ISSN 0033-8494
|
Текст
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАФНИЯ НА СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР итог 07.pdf Загрузить (976kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Пленки оксида гафния (HfO2) синтезированы на кремниевые подложки методом магнетронного распыления при различных технологических режимах. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO2 и электрофизических свойств гетероструктур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-HfO2-Si) на их основе.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники 250 лаб. сегнетоэлектрических материалов и устройств 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9502 |
 |
Изменить объект |
