Белорусов Д.А., Гольдман Е.И., Чучева Г.В. ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2023 . ISSN 0033-8494
Это последняя версия данного объекта.
|
Текст
ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША.pdf Загрузить (353kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
Обнаружено проявление эффекта Франца–Келдыша при освещении непрямым дневным светом структур Al–n+-Si:P–SiО2–(100) n-Si со сверхтонким (3.7 нм) окислом. Показано, что использование подсветки даже при малых полевых напряжениях (до 3 В) приводит к росту туннельного тока через окисел по сравнению с током в условиях темноты на три порядка. Построена модель влияния излучения на процесс туннелирования электронов через сверхтонкий изолирующий слой. Сначала в результате эффекта Франца–Келдыша происходит захват кванта излучения электроном и туннелирование данного носителя заряда через барьер на более высоком, по сравнению с темнотой, уровне. После попадания носителя заряда в полупроводник его энергии хватает для нескольких актов рождения пар электрон–дырка в ходе ударной ионизации кремния.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел 250 лаб. сегнетоэлектрических материалов и устройств |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9496 |
Доступные версии этого объекта
-
ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ
КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. (deposited 20 Окт 2023 18:54)
- ЭФФЕКТ ФРАНЦА–КЕЛДЫША В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ–СВЕРХТОНКИЙ (3.7 нм) ОКИСЕЛ–ПОЛИКРЕМНИЙ. (deposited 30 Окт 2023 09:38) [В настоящее время Отображен]
 |
Изменить объект |
