Tarakanov V. P., Shustin E. G., Ronald K. Simulation of sputtering from an isolated conductor surrounded by a ielectric during plasma etching. Vacuum , 2019 , 165 (2). С. 265-269. ISSN 0042207X
Полный текст не доступен из этого репозитория. (Заказать копию)Аннотация
We investigate the action of ion flows from a plasma onto the surface of a flat conductor lying on an insulator, with width less than the plasma Debye length. The model allows study of the processing with a steady state or pulsed potential on the microwire. The shape of pulses has been synthesized to provide the most homogeneous distribution of the etching rate over the microwire surface.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Тараканов В.П., Шустин Е.К., Роналд К. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 216 лаб. технологических процессов твердотельной электроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9488 |
 |
Изменить объект |
