Теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на сопротивлении токоведущей металлизации

Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на сопротивлении токоведущей металлизации. Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. – 2022. Т. 14 № 2. – С. 103–110. , 2022 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Теплоэлектрическая модель гетеропереходного биполярного транзистора с учетом падения напряжения на сопротивлении токоведущей металлизации

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9453

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект