Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization.

Sergeev V. A.,, Hodakov А.М. Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. Journal of Communications Technology and Electronics, 2022, Vol. 67, No. 11, pp. 1400–1405. , 2022 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Сергеев В.А. Ходаков А.М.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9441

Доступные версии этого объекта

• Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. (deposited 30 Окт 2023 09:33) [В настоящее время Отображен]
  • Thermoelectric model of a heterojunction bipolar transistor taking into account the voltage drop on the current-carrying metallization. (deposited 21 Ноя 2023 06:54)

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект