Frolov I.V., Hodakov А.М., Sergeev V. A.,, Radaev O. A. The model of degradation of an InGaN/GaN LED during current tests taking into account the inhomogeneous distribution of the defects density in the heterostructure. ФизикА.СПб, Journal of Physics: Conference Series. , 2021 .
Полный текст не доступен из этого репозитория.| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Фролов, Ходаков, Сергеев, Радаев |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9398 |
 |
Изменить объект |
