Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения концентрации дефектов в гетероструктуре

Фролов И.В., РАДАЕВ О.А., Ходаков А.М., Сергеев В.А. Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения концентрации дефектов в гетероструктуре. тезисы докладов международной конференции ФизикА.СПб (Санкт-Петербург, 18–22 октября 2021 г.). – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС. –2021. – С. 356–357 , 2021 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Модель деградации InGaN/GaN светодиода при токовых испытаниях с учетом неоднородного распределения концентрации дефектов в гетероструктуре

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9364

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект