Модель деградации InGaN/GaN светодиода с учетом неоднородности распределения дефектов в гетероструктуре

Ходаков А.М., Фролов И.В., Сергеев В.А. Модель деградации InGaN/GaN светодиода с учетом неоднородности распределения дефектов в гетероструктуре. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник науч. трудов. - Ульяновск: УлГТУ.- 2020. – С. 66-70. , 2020 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Модель деградации InGaN/GaN светодиода с учетом неоднородности распределения дефектов в гетероструктуре

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-1 лаб. световолоконной техники и оптических измерений
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9340

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект