Sergeev V. A.,, Hodakov А.М., Frolov I.V. The model of degradation of InGaN/GaN LED during current tests taking into account the inhomogeneous distribution of temperature and current density in the heterostructure. RENSIT.- 2020.-т.12(3).-с. 329-334 , 2020 .
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
The model of degradation of InGaN/GaN LED during current tests taking into account the inhomogeneous distribution of temperature and current density in the heterostructure
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Сергеев В.А., Ходаков А.М., Фролов И.В. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/9324 |
 |
Изменить объект |
