О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом

Ганьшина Е.А. Е.А., Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом. Физика твёрдого тела , 2019 , 61 (3). С. 465-471. ISSN 0367-3294

Предварительный просмотр

Текст О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом.pdf Загрузить (273kB) | Предварительный просмотр

Аннотация

Приведены результаты исследований спектральных, температурных и полевых зависимостей экваториального эффекта Керра в слоях Ga1−xMnxAs (x = 0.0066−0.033), полученных ионной имплантацией и последующим импульсным лазерным отжигом. Сложный немонотонный характер температурных зависимостей экваториального эффекта Керра и его зависимость от диапазона измерений свидетельствуют о магнитной неоднородности слоев. Причинами неоднородности могут быть гауссово распределение Mn по толщине слоев и электронное фазовое разделение в них. Появление новых особенностей в спектрах экваториального эффекта Керра объяснено наличием в легированной полупроводниковой матрице нанообластей с более высокой концентрацией носителей, с большей температурой Кюри и смещением уровня Ферми вглубь валентной зоны, приводящим к увеличению энергии оптических переходов.

Тип объекта:	Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!:	Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	197 лаб. функциональной электроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9274

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект