Hydrogen microwave plasma etching of silicon dioxide at high temperatures with in situ low-coherence interferometry control

Yurov V. Yu, Bolshakov A.P., Altakhov A.S., Fedorova I.A., Zavedeev E.V., Popovich A.F., Ralchenko V.G. Hydrogen microwave plasma etching of silicon dioxide at high temperatures with in situ low-coherence interferometry control. Vacuum , 2022 , 199. р. 110939. ISSN 0042207X

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2022.110939
Тип объекта: Статья
Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: Попович А.Ф.
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 218 лаб. химических методов технологии и анализа
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/9216
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект