Резистивное переключение мемристоров на основе нанокомпозита (Co 40 Fe 40 B 20 ) (LiNbO 3 ) 100 с прослойкой LiNbO 3 : пластичность и временные характеристики

Мацукатова А. Н., Никируй К. Э., Миннеханов А. А., Николаев С. Н., Емельянов А. В., Леванов В. А., Черноглазов К. Ю., Ситников А. В., Веденеев А. С., Бугаев А. С., Рыльков В. В. Резистивное переключение мемристоров на основе нанокомпозита (Co 40 Fe 40 B 20 ) (LiNbO 3 ) 100 с прослойкой LiNbO 3 : пластичность и временные характеристики. Радиотехника и электроника , 2020 , 65 (10). С. 1008-1014. ISSN 0033-8494

Полный текст не доступен из этого репозитория.
Официальный URL: https://doi.org/10.31857/S0033849420090077
Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 285 лаб. волновой электроники
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/9195
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект