Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения

Ходаков А.М., Сергеев В.А., Фролов И.В. Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения. Радиоэлектронная техника: межвузовский сборник научных трудов. – Ульяновск : УлГТУ, 2019. – С. 54-58. , 2019 .

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Аннотация

Влияние неоднородности распределения дефектов в структуре InGaN/GaN светодиода на оптическую мощность излучения

Тип объекта:	Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	УФ-2 лаб. твердотельной электроники, опто- и наноэлектроники
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9127

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект