Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. «Реальные» изолирующие свойства сверхтонких окислов кремния. РАДИОТЕХНИКА , 2015 (8). С. 58-65. ISSN 0033-8486
Полный текст не доступен из этого репозитория.Аннотация
На основе ранее полученных авторами результатов в отношении структур n+-Si-SiO2-n-Si с толщиной окисла 37 Å проведен анализ реальных изолирующих свойств сверхтонких окислов кремния. Показано, что потенциальный рельеф в сверхтонком SiO2 не описывается прямоугольной моделью, для него характерны относительно толстые, ~10 Å, слои с пониженным значением потенциала, отделяющие Si от собственно барьера, ограничивающего туннелирование электронов. Отмечено, что эффективная высота барьера сверхтонких изолирующих слоев SiO2 заметно меньше, а масса туннелирующего электрона существенно больше, чем у массивных диэлектриков. Указано, что структуры металл-окисел-полупроводник со сверхтонким окислом гораздо более «податливы» полевому и термическому стрессам по сравнению с образцами с толстым изолирующим слоем: объекты со сверхтонким окислом легче повреждаются внешними воздействиями, но и быстрее восстанавливаются в исходное состояние при комнатной температуре.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/905 |
 |
Изменить объект |
