Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник

ФИРЭ им. В.А.Котельникова РАН Эпитаксиальная гетероструктура на арсениде галлия с контактами металл-полупроводник. Заявка № 2021108864, 2021.

Полный текст не доступен из этого репозитория.

Тип объекта:	Патент
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl):	176 лаб. твердотельной электроники миллиметрового диапазона
URI:	http://cplire.ru:8080/id/eprint/9016

Только для зарегистрированных пользователей

Изменить объект