Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba0.8Sr0.2TiO3

Киселев Д.А., Афанасьев М.С., Левашов С.А., Чучева Г.В. Кинетика роста индуцированных доменов в сегнетоэлектрических тонких пленках Ba0.8Sr0.2TiO3. Физика твёрдого тела , 2015 , 57 (6). С. 1134-1137. ISSN 0367-3294

[img]
Предварительный просмотр
 Текст
41823.pdf
Загрузить (515kB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/41823

Аннотация

Показана возможность создания устойчивых доменных состояний в пленках Ba0.8Sr0.2TiO3 методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика как на исходной поверхности, так и в предварительно поляризованной области пленки. Проведен расчет скорости бокового движения доменной стенки, коэрцитивного поля, минимального размера домена и времени записи для создания домена приложенным напряжением.

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/889
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект
Репозиторий "Каталог публикаций ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН" создан на платформе EPrints 3 которая разработана Школой электроники и компьютерных наук в Университете Саутгемптона. Более подробная информация и разработчики программного обеспечения.