Гарбер Г.З., Дорофеев А.А., Зубков А.М., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А., Зяблюк К.Н., Митягин А.Ю., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. О проблеме создания сверхвысокочастотных мощных полевых транзисторов на основе алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (4). С. 411-416. ISSN 0033-8494
|
Текст
55439126.pdf Загрузить (429kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
На основе численных экспериментов намечены пути создания сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе алмаза с отдаваемой мощностью более 2.5 Вт на 1 мм ширины затвора на частоте 15 ГГц. Рассчитано семейство вольт-амперных характеристик полевого транзистора с барьером Шоттки, имеющего длину затвора LG = 50 нм и ширину W = 1 мм. По аналогии с HEMT на GaN, например типа TGF2023-20, построена топология мощного алмазного транзистора в виде параллельно включенных ячеек, каждая из которых имеет ширину затвора W = 1.2 мм, количество элементарных затворов в ячейке равно 24.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/885 |
 |
Изменить объект |
