Averin S., Kuznetsov P.I., Zhitov V.A., Zakharov L.Yu., Kotov V.M. MSM‑photodetector with ZnSe/ZnS/GaAs Bragg reflector. Optical and Quantum Electronics , 2020 , 52 (2).
|
Текст
Optical and Quantum Electronics (2020).pdf Загрузить (545kB) | Предварительный просмотр |
Аннотация
The effect of a ZnSe/ZnS/GaAs distributed Bragg reflector on the spectral response of a metal–semiconductor–metal (MSM)-diode is investigated. Good agreement is obtained between the calculated and experimental reflection spectra of the ZnSe/ZnS/GaAs heterostructure forming a distributed Bragg reflector in the MSM-diode. The MSM-detector provides a two-color response at 420 and 472 nm, a sharp decrease in photosensitivity in the long-wave part of the response signal, high quantum efficiency of 53%, and low dark current of 5 × 10−10 A. The two-color response of the detector can be adjusted to the desired wavelength by appropriately selecting the heterostructure parameters.
| Тип объекта: | Статья |
|---|---|
| Авторы на русском. ОБЯЗАТЕЛЬНО ДЛЯ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ!: | Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Котов В.М. |
| Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): | 218 лаб. химических методов технологии и анализа 257 лаб. быстропротекающих оптических явлений в твердотельных структурах |
| URI: | http://cplire.ru:8080/id/eprint/8848 |
 |
Изменить объект |
