Полевой транзистор на гидрированной поверхности алмаза.

Гуляев Ю.В., Митягин А.Ю., Чучева Г.В., Афанасьев М.С., Зяблюк К.Н., Талипов Н.Х., Недосекин П.Г., Набиев А.Э. Полевой транзистор на гидрированной поверхности алмаза. РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА , 2014 , 59 (3). С. 304-310. ISSN 0033-8494

[img]
Предварительный просмотр
 Текст
80976846.pdf
Загрузить (263kB) | Предварительный просмотр
Официальный URL: http://elibrary.ru/item.asp?id=21158627

Аннотация

Показана возможность создания полевого транзистора на гидрированной поверхности алмаза. Рассмотрена технология получения и свойства проводящей гидрированной поверхности алмаза. По разработанной технологии изготовлен полевой транзистор на гидрированной поверхности природного 2А алмаза с ориентацией поверхности (110).

Тип объекта: Статья
Подразделения (можно выбрать несколько, удерживая Ctrl): 251 лаб. исследования физических явлений на поверхности и границах раздела твердых тел
URI: http://cplire.ru:8080/id/eprint/884
Только для зарегистрированных пользователей
Изменить объект Изменить объект
Репозиторий "Каталог публикаций ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН" создан на платформе EPrints 3 которая разработана Школой электроники и компьютерных наук в Университете Саутгемптона. Более подробная информация и разработчики программного обеспечения.